據外媒報道，中國晶片製造商中芯國際將於今年內完成五奈米晶片技術開發，但因無法取得先進的極紫外光（EUV）微影設備，將改採較舊的深紫外光（DUV）技術，導致成本與良率較低。根據科技媒體Wccftech引述爆料者@Jukanlosreve與Kiwoom Securities的報告，中芯的晶圓製造成本較台積電高出50%，良率僅約為後者的三分之一。
報告指出，DUV需使用多重曝光工藝以實現先進製程，這不僅增加生產步驟與時間，也提高不良率，進一步壓縮量產效益。儘管中芯的5奈米製程技術尚未應用於消費性產品，外界預期其未來將搭載於華為AI晶片「昇騰910C」，以減少對美國晶片大廠輝達的依賴。
另一方面，華為今年下半年推出的Mate 70旗艦機，將採用麒麟9020晶片，仍維持在7奈米製程。報道同時指出，中芯若欲真正突破先進製程瓶頸，關鍵在於中國能否成功自主研發EUV設備。消息指首批國產EUV機台將於2025年第三季進入試產階段，與華為關係密切的設備商新凱來也正致力開發替代ASML的EUV技術，若成功將大幅提升中國在先進半導體製程的自主能力。（編輯部）
成本高 良率低是挑戰
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恐重擊輝達在華業務
傳將推出五奈米製造設備
可容納40萬顆輝達AI晶片
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