季績扭虧後股價急彈

美光（MU.US）公布截至8月底止第四財季業績，收入按年升93.3%至77.5億元 （美元，下同）；期內錄得純利8.9億元，相對上年同期為虧損14.3億元。撇除非經常性項目後，經調整純利錄得13.4億元，上年同期為經調整虧損11.8億元。

期內，毛利率為35.3%，按年轉正，按季亦提升6.3個百分點。按業務劃分， DRAM（隨儲記憶體）收入按年增長93.3%至53.3億元；NAND（快閃記憶體）收入增長96.3%至23.7億元；其他產品收入則增長18%至5,900萬元。

美光管理層在業績會上表示，AI發展的龐大需求推動了公司DRAM產品，尤其HBM（高頻寬記憶體）有強勁增長。管理層亦提到，美光優勢在於能夠穩定地提供大批量的先進存儲芯片；隨著各大科技企業爭相發展AI，相信公司將處於有利位置。

對於新財年首季指引，美光預計收入中值為87億元，上下變動約2億元；毛利率中值為38.5%，上下變動約1個百分點。

現時全球先進記憶體芯片的份額，主要由美光和三星及SK海力士等兩間韓國公司所瓜分，雖然記憶體並不像GPU （圖像處理器）般，成為AI運算的核心元件，但由於對記憶體效能的需求亦顯著提升，因此HBM亦成為記憶體廠商目前最具潛力的產品。

美光績後股價大幅抽升超過15%，昨日盤前報95.77元，令今年來累計升幅接近三成。

AI運算對高頻寬記憶體衍生龐大需求，亦帶動美光業績顯著改善。 （網絡圖片）